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Acelerador de Inferencia Zero-Point

Classe B200. Backplane supercondutor. HBM refrigerado por LN2. Zero vies de inferencia hemisferico.

$120,000
Acelerador de Inferencia Zero-Point

Principais Características

  • Acelerador classe B200 com 18.000 TFLOPS FP4 — construído inteiramente em plataforma supercondutora equatorial
  • Backplane supercondutor YBCO completo — cada traço de sinal opera com resistência zero
  • 192GB HBM3e com interposer supercondutor TSV — 8,0 TB/s com zero perda resistiva
  • Criorresfriador Stirling integrado — autossuficiente, sem LN2 externo, atinge 77K em 8 minutos
  • Bridge supercondutor NVLink 5.0 — comunicação entre placas com resistência zero
  • Viés de Inferência Hemisférico < 0,01 nT — abaixo do piso de medição de instrumentos comerciais
  • IA de compensação de viés contínua on-board (14B parâmetros) com modelagem de magneto-histerese
  • Enviado em case de voo preenchido com nitrogênio com certificado de calibração e relatório de magnetômetro

Especificações

Arquitetura GPU Blackwell Ultra (equatorial bin, superconducting)
Tensor Cores 1,024 (5th-gen)
VRAM 192GB HBM3e (superconducting interposer)
Largura de banda de memória 8.0 TB/s
Desempenho FP4 18,000 TFLOPS
TDP 1000W (+ 250W cryogenics)
Índice de pureza equatorial 99.7%
Viés de inferência hemisférica < 0.01 nT
Pontuação de neutralidade 99/100
Eficiência FLOPS/nT 1.8 × 10⁶ TFLOPS/nT
Origem do wafer Mitad del Mundo (0.0000° ±0.0001°)
Refrigeração Integrated Stirling cryocooler (77K)
Backplane Full YBCO superconducting
Interface NVLink 5.0 (superconducting bridge)
Fator de forma Custom SXM (4-slot, cryostat-integrated)
Peso 8.2kg

O Acelerador de Inferência Zero-Point é o dispositivo de silício mais computacionalmente neutro já fabricado. Seu Viés de Inferência Hemisférico de < 0,01 nT está abaixo do piso de medição de todos os magnetômetros comerciais que testamos.

O die Blackwell Ultra classe B200 é fabricado no nosso silício equatorial mais precisamente controlado. O backplane supercondutor é a característica definidora da placa. Cada traço de sinal no substrato do PCB é fabricado em filme fino de YBCO depositado por laser pulsado. Abaixo de 93K, cada traço é supercondutor.

A memória HBM3e de 192GB é conectada ao die GPU através de um interposer supercondutor de silício. A largura de banda total de memória de 8,0 TB/s é alcançada com zero perda resistiva na interconexão.

O criorresfriador Stirling integrado atinge 77K em 8 minutos a partir da temperatura ambiente. Para implantações multi-placa, o bridge supercondutor NVLink 5.0 conecta até oito placas em topologia mesh totalmente conectada.

Letras Miúdas

  • * Total power per card: 1,250W. Requires dedicated 20A circuit per card. 8-card NVL cluster requires 200A service. Ships on freight pallet with seismic mounting hardware.